28
2023
-
04
若“豁免期”無法延長，SK海力士或将出售未完工的大(dà)連晶圓廠
4月26日消息，據DigiTimes援引韓國媒體(tǐ)報道(dào)稱，韓國存儲芯片大(dà)廠SK海力士正在推遲其在中國大(dà)連的第二座3D NAND Flash工廠的完工，這一決定一方面為(wèi)了應對存儲市場(chǎng)需求下滑，另一方面則是由于去年10月美國出台的限制(zhì)對華出口先進半導體(tǐ)制(zhì)造設備，使得(de)SK海力士設備采購受到了影(yǐng)響。
4月26日消息，據DigiTimes援引韓國媒體(tǐ)報道(dào)稱，韓國存儲芯片大(dà)廠SK海力士正在推遲其在中國大(dà)連的第二座3D NAND Flash工廠的完工，這一決定一方面為(wèi)了應對存儲市場(chǎng)需求下滑，另一方面則是由于去年10月美國出台的限制(zhì)對華出口先進半導體(tǐ)制(zhì)造設備，使得(de)SK海力士設備采購受到了影(yǐng)響。
消息稱，SK還(hái)來(lái)甚至可(kě)能會(huì)考慮放棄後續工程，并出售該晶圓廠已建成的基礎設施。
早在2020年10月20日，SK海力士就以90億美元收購了包括英特爾大(dà)連NAND閃存工廠在內(nèi)的英特爾NAND閃存業務。但(dàn)是，英特爾仍将繼續保留其特有(yǒu)的傲騰業務。
2021年12月22日，在獲得(de)中國政府審批後，SK海力士正式完成了對于英特爾NAND閃存業務的收購。不過目前，英特爾大(dà)連廠尚未完全交割。根據約定預計(jì)，雙方将在 2025年3月份最終交割時(shí)，SK 海力士将支付剩餘的20億美元從英特爾收購其餘相關資産，包括 NAND 閃存晶圓的生(shēng)産及設計(jì)相關的知識産權、研發人(rén)員以及中國大(dà)連工廠的員工。
2022年5月16日，愛(ài)思開(kāi)海力士·英特爾DMTM半導體(tǐ)（大(dà)連）有(yǒu)限公司非易失性存儲器(qì)項目在大(dà)連金普新區(qū)舉行(xíng)開(kāi)工儀式。該項目将建設一座新的晶圓工廠，從事非易失性存儲器(qì)3D NAND Flash芯片産品的生(shēng)産。這也正是此次報道(dào)中所指的SK海力士位于大(dà)連的第二座晶圓廠。
通(tōng)常晶圓廠的基礎設施建設需要1年左右的時(shí)間(jiān)，然而，據知情人(rén)士透露，該晶圓廠的施工尚未進入收尾階段，也并未與晶圓廠設備供應商就交付和(hé)安裝進行(xíng)討(tǎo)論。在最壞的情況下，SK海力士可(kě)能會(huì)決定賣掉大(dà)樓而不是繼續安裝昂貴的設備。
其中，一方面的原因是，目前存儲市場(chǎng)需求仍在下滑，铠俠、美光、三星等存儲芯片大(dà)廠都相繼宣布了減産計(jì)劃，SK海力士雖然未宣布減産，但(dàn)也将今年的資本支出大(dà)幅縮減了50%。這也使得(de)SK海力士有(yǒu)意放緩新的存儲晶圓廠的建設步伐，以減少(shǎo)資本支出。
更為(wèi)關鍵的原因則在于，去年10月，美國出台了對華半導體(tǐ)出口管制(zhì)新規，限制(zhì)了128層及以上(shàng)3D NAND Flash、18nm半間(jiān)距或更小(xiǎo)的DRAM內(nèi)存芯片所需的制(zhì)造設備的對華出口，除非有(yǒu)美國商務部頒發的特殊許可(kě)證。目前荷蘭和(hé)日本也陸續跟進美國對華新規，宣布将推出對應的限制(zhì)政策，這也使得(de)更多(duō)相關設備的對華出口受到了限制(zhì)。
目前128層3D NAND Flash是主流，但(dàn)是頭部的存儲芯片廠商已經邁向了更高(gāo)的堆疊層數(shù)。美光在去年就量産232層3D NAND Flash。對于SK海力士來(lái)說，為(wèi)了使晶圓廠具有(yǒu)長期競争力，SK海力士就必須瞄準128層及以上(shàng)3D NAND Flash制(zhì)造。
雖然在2022年10月11日SK海力士取得(de)了美國商務部給予的1年豁免期，可(kě)以不受限制(zhì)的為(wèi)其在大(dà)陸的晶圓廠采購需要的設備，但(dàn)是SK海力士并未取得(de)荷蘭及日本政府的豁免。而且由于一些(xiē)關鍵的半導體(tǐ)設備交期超過了1年以上(shàng)（比如ASML的主流的光刻機，據了解，目前的平均交期仍高(gāo)達18個(gè)月），随着SK海力士的豁免期僅剩半年左右，SK海力士可(kě)能無法在豁免期結束前完成設備的搬入。
此外，來(lái)自應用材料（Applied Materials）、科磊（KLA）和(hé)泛林（Lam Research） 等公司的美國工程師(shī)現在被禁止在沒有(yǒu)政府出口許可(kě)證的情況下向中國大(dà)陸的半導體(tǐ)設施提供服務，因此即使安裝采購的工具也可(kě)能是個(gè)問題。
除非美國繼續延長對SK海力士的豁免期，并向相關美系設備廠商的美籍技(jì)術(shù)人(rén)員提供豁免。如果這些(xiē)都無法辦到，不僅SK海力士在中國大(dà)陸擴産将受到影(yǐng)響，原有(yǒu)産線的維護與技(jì)術(shù)升級也将受到影(yǐng)響。
SK海力士首席營銷官Kevin Noh在去年第三季度财報的電(diàn)話(huà)會(huì)議上(shàng)就曾表示，在美國新規之下，SK海力士中國無錫廠的運作(zuò)将受許多(duō)限制(zhì)，“無法不受影(yǐng)響”。
“作(zuò)為(wèi)應急計(jì)劃，我們可(kě)能要考慮出售晶圓廠、出售設備或将設備轉移到韓國。”Kevin Noh強調，“這是一個(gè)應急計(jì)劃， 我們希望(繼續)在不面對這種情況的情況下運營。”
SK海力士官方随後強調，“中國工廠的設備轉移”等相關發言是針對可(kě)能性極低(dī)的極端情況作(zuò)出的現場(chǎng)回複，本公司澄清并未研究過與此相關的具體(tǐ)計(jì)劃。
對于1年豁免期到期後，能否繼續獲得(de)美國的豁免，SK海力士發言人(rén)曾表示，“許可(kě)可(kě)能延長，也可(kě)能依個(gè)案審查”，“韓國及美國政府同意繼續協商”。
值得(de)注意的是，在今年2月底，美國商務部副部長艾倫·埃斯特維茲 (Alan Estevez)在美國戰略與國際問題研究中心（CSIS）組織的“韓美經濟安全論壇”上(shàng)公開(kāi)表示，在美國對華半導體(tǐ)出口管制(zhì)新規出台之後，将禁止某些(xiē)半導體(tǐ)技(jì)術(shù)進入中國大(dà)陸，雖然也會(huì)為(wèi)在中國生(shēng)大(dà)陸設廠的非中國大(dà)陸芯片制(zhì)造商（三星、SK海力士等）設定配額，但(dàn)将會(huì)對他們在中國大(dà)陸的發展設置上(shàng)限。
當被要求進一步澄清時(shí)，埃斯特維茲說，會(huì)依據相關公司的NAND閃存芯片堆疊層數(shù)，選定“某個(gè)範圍”作(zuò)為(wèi)上(shàng)限。但(dàn)是這個(gè)限制(zhì)範圍“也将取決于中國人(rén)在做(zuò)什麽”。
也就是說，未來(lái)可(kě)能将不會(huì)再有(yǒu)不受限制(zhì)的“豁免”，而是會(huì)将三星、SK海力士在中國大(dà)陸的晶圓廠的生(shēng)産能力限制(zhì)在一定範圍，可(kě)能會(huì)與美國新規的限制(zhì)對齊。
Related news
海業興科技（香港）有限公司
電(diàn)話(huà)：+86-755-26411870
電(diàn)子郵件：Contact-sales@yihai-tech.com
地址：深圳市南山(shān)區(qū)南山(shān)街(jiē)道(dào)學府社區(qū)南山(shān)大(dà)道(dào)
第2002号光彩新天地18A2
添加微信