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2022

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08

內(nèi)存核心發展曆程

對磁芯存儲器(qì)的重要貢獻之一是王安博士,他發明(míng)了write-after-read循環,解決了磁芯應用中的一大(dà)難題,即讀取同時(shí)擦除的問題不保留數(shù)據的內(nèi)存後來(lái)獲得(de)了相關專利。


對磁芯存儲器(qì)的重要貢獻之一是王安博士,他發明(míng)了write-after-read循環,解決了磁芯應用中的一大(dà)難題,即讀取同時(shí)擦除的問題不保留數(shù)據的內(nèi)存後來(lái)獲得(de)了相關專利。對磁芯存儲器(qì)的重要貢獻之一是王安博士,他發明(míng)了write-after-read循環,解決了磁芯應用中的一大(dà)難題,即讀取同時(shí)擦除的問題 不保留數(shù)據的內(nèi)存後來(lái)獲得(de)了相關專利。

雖然半導體(tǐ)內(nèi)存已經使用了很(hěn)長時(shí)間(jiān),但(dàn)有(yǒu)時(shí)仍然使用傳統名稱,內(nèi)存也被稱為(wèi)Core。 一個(gè)明(míng)顯的例子是Core Dump:當程序崩潰并被異常中斷時(shí),保存主內(nèi)存內(nèi)容以備使用。 錯誤檢測。

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